Leitungsmechanismen von Siliziumkarbid (SiC) - Schottky - Dioden in Sperr-und Durchlassrichtung
- Inhalt dieser Diplomarbeit ist die Simulation einer Schottky-Diode (4H-SiC) in Sperr-und Durchlassrichtung.
| Author: | Manuel Eisel |
|---|---|
| Advisor: | Gerhard TemmelGND |
| Document Type: | Diploma Thesis |
| Language: | German |
| Name: | Fraunhofer IISB Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen |
| Date of Publication (online): | 2016/02/08 |
| Year of first Publication: | 2016 |
| Date of final exam: | 2016/01/07 |
| Release Date: | 2016/02/08 |
| Tag: | 4H-SiC; Leitungsmechanismen; Schottky-Diode |
| Page Number: | 69 Seiten, 53 Abb., 7 Tab., 53 Lit. |
| Faculty: | Westsächsische Hochschule Zwickau / Elektrotechnik |
| Release Date: | 2016/02/08 |
