TY  - GEN
U1  - Sonstiges
A1  - Eisel, Manuel
T1  - Leitungsmechanismen von Siliziumkarbid (SiC) - Schottky - Dioden in Sperr-und Durchlassrichtung
N2  - Inhalt dieser Diplomarbeit ist die Simulation einer Schottky-Diode (4H-SiC) in Sperr-und Durchlassrichtung.
AB  - Inhalt dieser Diplomarbeit ist die Simulation einer Schottky-Diode (4H-SiC) in Sperr-und Durchlassrichtung.
KW  - 4H-SiC
KW  - Schottky-Diode
KW  - Leitungsmechanismen
Y1  - 2016
SP  - 69 Seiten, 53 Abb., 7 Tab., 53 Lit.
ER  -