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In der vorliegenden Arbeit wird die stufenweise Oxidationsprofilierung SWOP (engl. Step-Wise Oxidation Technique), ein standardfreies Messverfahren auf die Tiefenprofilierung von elektrisch aktiven Dotanden in Silizium angewendet. Hierbei wird die elektrochemische Anodische Oxidation mit einer Ethylenglycollösung mit einem geringen Anteil HNO3 und Wasser für den Si-Tiefenabtrag verwendet. Eine Oxidation mit konstantem Zellenstrom ermöglicht reproduzierbare Schichtabträge im sub-nm-Bereich, wobei die erzeugte SiO2-Schichtdicke linear mit der Zellenspannung anwächst. Die Verwendung von Proben mit Teststrukturen ermöglicht die elektrische Messung des Schichtwiderstandes nach der van-der-Pauw-Methode, ohne dass die Entfernung des anodischen SiO2 erforderlich ist. Die Nachweisgrenze des Verfahren bei der Ermittlung von Dotandenkonzentrationen für Bor liegt bei 1E17 cm^-3. Es wurden flache Bor-Profile mit Ionenimplantation und anschließender RTA-Temperung in guter Übereinstimmung mit SIMS-Referenzprofilen gemessen. Es konnte gezeigt werden, dass mit dem vorgestellten Verfahren Dotandenprofile mit pn-Übergängen im Tiefenbereich < 50 nm vermessen werden können.