Diploma Thesis
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In dieser Arbeit wird gezeigt, dass sich die Messmittelfähigkeit eines Raster-Elektronen-Mikroskops, wie es für die Vermessung von Strukturen auf fotolithografischen Masken verwendet wird, durch eine statistische Versuchsplanung verbessern lässt. Die Messmittelfähigkeit wird dabei in der dreifachen Standardabweichung einer Messreihe ausgedrück. Hierzu wurden vorab Untersuchungen zum Aufnehmen einer Messreihe durchgeführt, die eine objektivere Messreihenaufnahme bescheinigen, wenn die Maske zwischen jeder Messung aus- und wieder eingeschleust wird. In die statistische Versuchsplanung wurden acht Faktoren, sowohl der Bildaufnahme als auch der -verarbeitung, aufgenommen. Ein vollfaktorieller Versuchsplan zeigte eine Krümmung an, die durch eine Respons-Surface-Methode weiter beschrieben wurde. Es ergab sich eine Verbesserung der Messmittelfähigkeit von 0,6nm bei Standardeinstellungen auf unter 0,2nm.
