Diploma Thesis
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Ziel der Arbeit ist die elektrische Charakterisierung von Aluminiumoxidschichten (Al2O3), welche durch Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellt wurden. Die Schichten wurden auf blanken Siliziumscheiben in Batch-Ofen-Systemen abgeschieden, wobei sowohl die Temperaturen während der Abscheidung, als auch die Anzahl der Zyklen variiert wurden. Die Prozesstemperaturen betrugen im geringsten Fall 200°C, im Maximum 400°C. Die Precursor des Prozesses waren Trimethylaluminium (TMA) und Ozon (O3). Zusätzlich wurden die Proben per
