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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Entwicklung und technischen Realisierung eines Ultraschallsensorelementes auf Silizium- Basis mit den Methoden der Halbleitertechnologie. Es werden Realisierungsmöglichkeiten verschiedener Funktionsvarianten aufgezeigt. Für die Nutzung des kapazitiven Meßprinzipes werden Beispiellösungen angegeben und ein mathematisches Modell vorgestellt, das zur Dimensionierung und Beschreibung des Sensorsystems genutzt werden kann. Mit Hilfe verschiedener Vorversuche wird eine Schichtkombination bestimmt, mit deren Hilfe sich der zur Signalwandlung mit dem kapazitiven Prinzip notwendige Luftspalt auf einem Siliziumchip herstellen lässt. Es wird ein geeignetes Ätz- und Spülverfahren entwickelt und getestet, mit dem sich das angewendete Opferschichtverfahren technologisch realisieren lässt. Eine Teststruktur wird entworfen, die zur Herstellung freistehender Gegenelektrodenstrukturen genutzt wird. Zur Herstellung eines Einchip- Sensorelemts mit dem Verfahren der Volumen- und Oberflächenmikromechanik werden Prozesspläne erstellt und erste Präpärationsversuche beschrieben.