Diploma Thesis
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Diese Arbeit befaßt sich mit der meßtechnischen Analyse des statischen und dynamischen Verhaltens der abschaltbaren Halbleiterleistungsbauelemente 'Intelligent Power Modul' (IPM) und 'MOS Controlled Thyristor' (MCT). Es werden Möglichkeiten zur Modellierung dieser Bauelemente und zur Simulation des Schaltverhaltens mit den Programmsystemen SIMPLORER TM bzw. DESIGN CENTER TM aufgezeigt. Aus den verwendeten Meßaufbauten wurde ein Bauelemente-Praktikumsversuch für das Labor Leistungselektronik abgeleitet. <!-- #h:dissdiplHalbleiterbauelemente.doc# -->
