Diploma Thesis
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Zur Sicherstellung der Funktionalität der Produktionsanlagen in einer Halbleiterfertigung werden regelmäßig Kontrollen auf blanken Substraten durchgeführt. Unter Anderem werden die erzielten Strukturbreiten auf den Kontrollsubstrat überprüft. Zur Ermittlung der Strukturbreite stehen zwei Messverfahren zur Verfügung. Konventionell werden Rasterelektronenmikroskope zur Strukturbreitenbestimmung genutzt, diese Arbeit vergleicht das Rasterelektronenmikroskopieverfahren mit einer Scatterometriemessung. Die Vergleichspunkte beinhalten den Vergleich der Messmittelfähigkeit, die Eignung der beiden Verfahren für eine Arbeitspunktbestimmung des Lithografieprozesses, den Vergleich einer Querschnittsanalyse mit den Scatterometriemodellen und die Anwendung beider Messungen in der statistischen Prozesskontrolle.
