Diploma Thesis
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Diese Dokumentation erläutert die Bestimmung der Temperaturabhängigkeit des Kollektorstromes und der Stromverstärkung von extrem kleinflächigen UHF-Bipolartransistoren, sowie deren elektrische Modellierung in Form der Modellparameter XTB und XTI mit dem Programmsystem DESIGN CENTER TM, unter Beachtung der Energiebandlückeneinengung infolge der Hochdotierung. Des weiteren wird auf die Charakteristik von integrierten UHF-Bipolartransistoren (Technologie, elektrische Modellparameter, Verkappung) eingegangen. <!-- #h:dissdiplTemperaturverhalten.doc# -->
