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Um ein kostengünstiges und schnelles Verfahren zu Schichtab-scheidung realisieren zu können, ist es nötig, auf Vakuumtechnik zu verzichten. Aus diesem Grund ist die Beschichtung unter Atmo-sphärendruck in jüngster Zeit Thema zahlreicher Forschungen. Die dielektrisch behinderte Barrierenentladung stellt ein Verfahren zur Schichtherstellung mittels Plasmapolymerisation unter Hochdruck-bedingungen dar. Um eine von der Geometrie des zu beschichtenden Bauteils unabhängige Beschichtung zu realisieren, wurde der Versuch unternommen, siliziumbasierte Schichten außerhalb der Entladungs-zone auf dem Substrat aufwachsen zulassen. Dafür wurde neben der Barriereentladung eine gepulste Bogenentladung (PlasmaTreat® - Verfahren der Fa. AGRODYN) zur Aktivierung des Precursors verwendet. Darüber hinaus war die Möglichkeit der Precursorak-tivierung im Remoteplasma untersucht worden, um damit störende Beschichtung der Elektroden zu verhindern. Als Ausgangsmaterial für die Schichtbildung diente Hexamethyldisiloxan und Tetraethoxysilan. Die abgeschiedenen Schichten wurden mittels Infrarotspektroskopie, Elektronenstrahl-Mikroanalyse und Oberflächenenergiemessung cha-rakterisiert. <!-- #h:dissdiplSiliziumbasierte Schichtsysteme.doc# -->