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Kernthema der Diplomarbeit ist es, ein Vorgehensmodell sowie eine technologische Prozessbeschreibung für den Einsatz konfektionierter Kabelbündel im Verdrahtungsprozess einer Unikat-Schaltanlage zu erarbeiten. Die konfektionierten Kabelbündel sollen zukünftig keiner Nacharbeit unterzogen werden müssen und nach gezielten Vorgaben in der Schaltanlage verlegt werden. Diese Maßnahme soll direkten Einfluss auf die Durchlaufzeit in der Produktion sowie auf die Verdrahtungsqualität einer Unikat-Schaltanlage haben.
Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Teststrategie für den Komponenten- und Systemtest eines sicherheitskritischen Fahrerassistenzsystems optimiert. Dazu wurden alle Einflussfaktoren und Abhängigkeiten einer Teststratgie erarbeitet und eine Recherche nach anderen potentiellen Teststrategien durchgeführt. Um einen Bewertung verschiedener Teststrategien durchführen zu können, wurde eine Bewertungsmatrix entwickelt. Durch den Vergleich verschiedner Teststratgien wurde eine praktisch anwendbare und die theoretisch beste Teststrategie herausgearbeitet. Schwerpunktmäßig wurden Optimierungsmöglichkeiten für das Referenzprojekt erarbeitet und die Voraussetzungen für die Realisierung geschaffen.
Zielstellung der Evaluierung ist es, eine Aussage darüber zu treffen, ob die Anwendung des Materials Aquasave® bei Phasenschiebenden Masken als zusätzliche Lage auf Positivlack beim Schreiben der 1. Lage durch Elektronenstrahlschreiber produktionstauglich ist und Erwartungen hinsichtlich der Produktparameter CD, Auflösung, Platzierungsfehler und Linerität erfüllt.
Die Aufgabenstellung der oben genannten Diplomarbeit bestand darin, Siliziumschichten bezüglich ihres Stressverhaltens vor und nach thermischer Behandlung zu charakterisieren. Nach der grundlegenden Erläuterung der Entstehung von mechanischen Spannungen, der Charakterisierung der zur Untersuchung verwendeten Meßgeräte und der für die Untersuchung verwendeten Abscheideprozesse, steht das Schichtspannungsverhalten phosphordotierter Siliziumschichten auf 30 nm Siliziumdioxid bei thermischer Behandlung im Mittelpunkt.
In der Halbleiterfertigung von Qimonda Dresden traten vermehrt Partikelprobleme und erhebliche Störungen im Prozessfluss auf, die den jeweiligen FOUP (Transportbehälter für Wafer) als Verursacher vermuten ließen. Erste Untersuchungen bestätigten den Zusammenhang zwischen zu hohen Wafer- Temperaturen und Materialveränderungen der Wafersupports (Auflagen der Wafer im FOUP), welche die beschriebenen Probleme zur Folge hatten. Demnach existieren bei QD Tools und Prozesse, die Wafer mit zu hohen Temperaturen entladen. Ziel dieser Arbeit war es, die Ursachen und Auswirkungen zu hoher Wafer-Entlade-Temperaturen ingenieurwissenschaftlich zu untersuchen und die Problem verursachenden Tools und Prozesse zu identifizieren. Durch geeignete Untersuchungsmethoden konnte die Kausalität erhöhter Wafer-Entlade-Temperaturen zu den beschriebenen Problemen hergestellt werden. Dieser Nachweis und die anschließende Quantifizierung zeigte als Ergebnis die eingeschränkte Temperaturbeständigkeit der bei QD eingesetzten FOUPs bzw. deren Wafersupports auf. Basierend auf den gewonnenen Erkenntnissen wurde eine Qimonda- Spezifikation für maximal zulässige Wafer-Entlade-Temperaturen erstellt und eingeführt. Mithilfe einer neu entwickelten Messmethode zur direkten Messung von Wafer-Entlade-Temperaturen (Temperatur-Mess-FOUP) konnten typische Hochtemperaturprozesse hinsichtlich der Einhaltung dieser neu definierten Spec-Grenze untersucht und dadurch die verursachenden Tools und Prozesse identifiziert werden. Ferner wurden durch den Einsatz des Temperatur-Mess-FOUPs Prozesse, Tools und FOUPs hinsichtlich ihrer Optimierungsmöglichkeiten im Zusammenhang mit hohen Wafer-Entlade-Temperaturen analysiert und deren Verbesserungspotential aufgezeigt.
Ziel der vorliegenden Arbeit ist die Bestimmung der Neutralgastemperatur mittels hochauflösender optischer Emissionsspektroskopie in einem modernen CCP Plasmaätzreaktor zur Fertigung höchstintegrierter Speicherbauelemente. Die Neutralgastemperatur wurde dabei aus dopplerverbreiterten Linienprofilen der Ha- und der Hß-Linie der Balmerserie von atomarem Wasserstoff bestimmt. Es wurden Neutralgastemperaturen im Bereich von 1200 K bis 2500 K ermittelt, die die aus der Literatur bekannten Abschätzungen und Messungen der Neutralgastemperaturen in CCP Reaktoren bestätigen. Die sich einstellenden Neutralgastemperaturen wurden auf ihre Abhängigkeiten von folgenden Prozess- und Anlagenparametern experimentell untersucht, insbesondere: RF-Leistung, Druck, magnetische Flussdichte, Gasgemisch und Wafermaterial.
Experimental and theoretical investigation of mechanical stresses in Through-Silicon-Vias (TSV)
(2007)
In the work an experimental and theoretical investigation of the influence on the wafer bending of Through-Silicon-Vias (TSV) and their processing is presented. In a first step the influence of the anisotropic material properties of silicon and the thicknesses of an oxide hard mask and a tungsten film were analyzed at room temperature and as a function of the temperature up to 500 °C. For this purpose, the wafer bow was determined experimentally. In a second step, the analysis was extended to structured wafers. Wafers with Through-Silicon-Vias were etched and coated subsequently with several films. The wafer bow at room temperature was monitored stepwise. The theoretical analysis of bow and stress was done by using the Finite-Element-Program ANSYS. Models for unstructured wafers with various films were developed and the results compared with the experimental bow. For structured wafers, a model of a single via was generated; local deformations, stresses and the stress distribution were determined. To attempt the simulation of fully structured wafers, an effective medium model was developed as first step approximation.
Der Gegenstand der Arbeit ist die Untersuchung der Einflüsse wichtiger Prozessparameter auf Veraschungsprozesse von Fotolacken. Bei dem Veraschen handelt es sich um ein reaktives Trockenätzverfahren mit einem induktiv eingekoppelten Plasma. Die Methode dient vorwiegend zum Ätzen von Fotolacken. Der Prozess kann aber auch zur Reinigung der Oberfläche verwendet werden. Das Lackveraschen wird in der Technologieebene der Umverdrahtung (redistribution layer (RDL)) genutzt. Durch den Schichtabtrag verändern sie die Lackmaske und damit auch die Leiterbahngeometrie. In einem weiteren Prozessschritt dient der Fotolack als Passivierungsschicht, wobei die Lackdicke unerwünschte Kapazitäten beeinflusst. Es werden O2 - und CF4/O2 -Ätzprozesse an einem positiven (Clariant AZ 4620) Fotolack untersucht. Durch verschiedene Messverfahren wird der Lackabtrag in Abhängigkeit wichtiger Prozessparameter sowohl an Einzelpunkten, als auch über die gesamte Waferfläche charakterisiert. Dazu gehören der O2-Gasfluss, der CF4-Gasfluss, die eingekoppelte Leistung, der Kammerdruck und die Prozessdauer. In der Veraschungsanlage befindet sich als weiteres Prozessgas noch Stickstoff, dessen Einfluss auf den Prozess hinsichtlich der Abtragsrate und des Abtragsverhaltens untersucht wird. Um die Wechselwirkungen der einzelnen Prozessparameter untereinander zu beschreiben und damit zu einen möglichst effizienten Prozess zu kommen, werden die experimentellen Bedingungen mit Methoden der statistisch Versuchsplanung (DoE) berechnet und die Querabhängigkeiten ausgewertet.
Ist-Analyse der Logistikprozesse "Materialanlieferung", "Materialausgabe an die Fertigung" und "Versand der Endprodukte an den Kunden" ; Analyse der im jeweiligen Prozessablauf festgestellten Schwachstellen ; Aufzeigen von Verbesserungsvorschlägen für die Schwachstellen zur Erreichung eines zweckmäßigeren/besseren Prozessablaufes (Soll-Prozess)
