@mastersthesis{Schulze2018,
  type      = {Bachelor Thesis},
  author    = {Schulze, Frank Michael},
  title     = {Entwicklung von Siliziumnitridschichten f{\"u}r MEMS-Applikationen},
  institution = {Physikalische Technik, Informatik},
  school    = {Wests{\"a}chsische Hochschule Zwickau},
  pages     = {74 Seiten, 28 Abb., 20 Tab., 47 Lit.},
  year      = {2018},
  abstract  = {In der vorliegenden Arbeit wird die Entwicklung von silanbasierten PECVD-Prozessen zur Siliziumnitridabscheidung beschrieben. Ein Schwerpunkt der Untersuchungen liegt in der Bestimmung und Einstellung der Schichtspannung. Technologische Vorgabe an die Prozesse ist dabei die Abscheidung von spannungsfreien bzw. tensilen Schichten.Eine weitere Zielstellung ist ein bestimmter Siliziumanteil in der Siliziumnitridschicht, f{\"u}r dessen Ermittlung quantitative XPS-Analysen durchgef{\"u}hrt wurden. Die Bestimmung der optimalen Prozessparameter erfolgte in umfangreichen Versuchsreihen, in denen der Einfluss der Plasmaleistung, des Elektrodenabstands, der Prozessgasfl{\"u}sse (Silan, Ammoniak, Stickstoff), der Temperatur und des Prozessdrucks auf die Schichteigenschaften festgestellt wurde. Im Ergebnis konnte ein Prozess zu Abscheidung von spannungsfreien Schichten entwickelt werden. Ferner konnten M{\"o}glichkeiten zur Erh{\"o}hung des Siliziumanteils im Siliziumnitrid erprobt und Ans{\"a}tze zur weiteren Steigerung aufgezeigt werden. Untersuchungen zur Stabilit{\"a}t und Zuverl{\"a}ssigkeit der entwickelten Prozesse und Schichten runden das Ergebnis ab.},
  subject      = {PECVD-Verfahren},
  language  = {de}
}